LED照明的神聖目標是以最節能、最具成本效益的方式實現白光，這一直是製造商和學術界最熱門的討論話題。
傳統方法包括頻率向下反轉、結合高能藍色LED 或近紫外波段以及不同波長的熒光粉。
與原始發射器（覆蓋有熒光粉的LED）相比，這種方法通常會模擬不完整的白光光譜，其量子效率較低。熒光粉的有限壽命也對白光的整個產品生命周期產生負麵影響。
其他解決方案結合了多個以不同峰值波長發射的LED 芯片，但它們同樣無法實現真正白光的自然、連續發光過程。
香港大學的研究人員樂觀地認為，可以從單晶LED 中獲得寬帶白光。在最近發表在《ACS Photonics》雜誌上的文章《Monolithic Broadband InGaN Light-Emitting Diode》中，研究人員報道稱，他們可以在藍寶石襯底上生長高銦含量的氮化銦镓型氮化镓（氮化镓）。 InGaN-GaN）量子阱（QW）結構結果。
然後，研究人員使用矽納米粒子的組合作為屏蔽，並蝕刻整個堆棧，在整個LED 芯片上留下納米柱圖案，範圍從直徑約150nm 的納米尖端到直徑約7m 的微盤形諧振腔。
納米結構工藝使用分散的矽珠：
(a、b) 用於幹法蝕刻的納米屏蔽；
(c) 實現隨機分布的納米尖端組合；
(d) 然後平坦化
由於生長的InGaN-GaN 量子阱結構會受到晶格失配引起的應變的影響，因此有必要利用納米尖和微盤上的不同應變分布。這種現象稱為量子局域斯塔克效應（QCSE），其中峰值波長受到應變引起的壓電場的影響，從而降低有效間隙能量並導致發光光譜發生紅色色移。通過InGaN-GaN QW 堆棧的納米級結構緩解這種應力有望部分緩解這種顏色偏移。
以約80nm 波長發射的納米尖端比在結構中生長的納米尖端短，但以575nm 標準波長發射的同一芯片發射出更大的7m 微盤。
研究人員對單晶LED 進行了納米圖案化，並將較長波長的應變InGaN-GaN QW 與較短波長的應變納米尖端光源混合在一起。
(a) 無熒光粉白光LED 單片芯片，結合不同取向的水稻結構陣列，在(c) 平坦化之前，以及(b) 所製造結構的SEM 圖像
獲得的芯片可以同時發射隨機分布在各個納米結構工藝中的藍光、綠光和黃光。
顯示不同藍色、綠色和黃色光的納米結構單晶LED 的特寫照片。整個芯片尺寸約為1x1mm
目前，這項研究還僅處於概念驗證階段，但研究人員在研究報告中表示，他們希望利用電子束或納米壓印等精確納米圖案化技術來進一步提高光和顏色分布的均勻性。此外，調整納米尖端和微盤的相對濃度還可以調整整個色域的發光度，從而使用多個不同尺寸的納米尖端（每個納米尖端具有不同的應變鬆弛程度）實現更多的連續性發光效率。
