中國，2016 年11 月4 日—— 全球領先的橫跨多種電子應用的半導體供應商意法半導體（ST；紐約證券交易所股票代碼：STM）發布了兩款40V 汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET F7製造技術，具有卓越的開關性能、出色的能效、極低的噪聲輻射以及強大的抗誤導能力。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括大電流動力總成、車身或底盤以及安全係統。同時，其出色的開關特性使其特別適合電機驅動設備，例如電動助力轉向係統（EPS）。
STMicroElectronics 的STripFET 係列采用DeepGATE 技術來降低單位麵積的芯片導通電阻RDS(on) 和RDS(on) x 柵極電荷(Qg) 值。在相同功率器件封裝條件下具有優異的能效。高雪崩特性是新產品的另一大亮點。
通過減少體效應二極管的反向恢複電荷（Qrr）和反向恢複時間（trr），STripFET F7的開關性能，特別是能效得到極大的提高。同時，更軟的反向恢複可以最大限度地減少靜電幹擾（EMI）。 ），從而放寬了對過濾裝置的要求。此外，電容經過優化，可提高器件的抗噪能力並減少對緩衝電路的需求，閾值電壓調整使器件具有很強的抗誤導能力，無需專用柵極驅動器。在電機驅動等橋式拓撲中，二極管軟恢複方法有助於防止直通電流現象，從而提高驅動電路的可靠性。
40V STL140N4F7AG 和STL190N4F7AG 符合AEC-Q101 標準，采用支持側麵濕焊的PowerFLAT 5x6 封裝。緊湊的封裝麵積和0.8mm的厚度支持高係統功率密度。此外，側麵鍍錫設計有助於提高焊接可靠性和壽命，並且100%支持自動光學檢測流程。
40V 汽車STripFET F7 MOSFET 現已開始量產。
