該校的工程師最近發現了一種新的二維半導體材料——一氧化錫（sno）。這種單層材料隻有一個原子厚，可用於製備電子器件中不可或缺的晶體管。研究人員表示，最新的研究可以幫助科學家開發運行速度更快、能耗更少的計算機和移動設備，包括智能手機。
猶他大學材料科學與工程副教授Ashutosh Tiwari 領導的研究小組發現，一氧化錫由錫和氧元素組成。目前，電子設備中的晶體管和其他組件是由矽等三維材料製成的，矽在玻璃基板上包含多層三維材料。但三維材料的缺點是電子在層內向各個方向彈跳。蒂瓦裏解釋說，二維材料的優點是它們由隻有一兩個原子厚的三明治組成。電子隻能在三明治中移動，因此移動速度更快。
二維半導體材料五年前開始成為研究熱點。盡管研究人員已經發現了石墨烯、二硫化鉬和硼烯等多種二維材料，但這些材料隻允許帶負電的電子（n型）移動。而電子設備的製造需要能夠移動電子和帶正電“空穴”（p 型）的半導體材料。新發現的氧化錫是曆史上第一種穩定的p型二維半導體材料。
氧化錫材料幫助科學家開發更小、更快的晶體管。計算機處理器包含數十億個晶體管。單個芯片上集成的晶體管越多，處理器的功能就越強大。最終，科學家們或許能夠製造出比現有設備快100 倍的計算機和智能手機。此外，在這種材料內部，由於電子通過一層層彈跳，而不是在三維材料內部來回彈跳，因此摩擦力較小，可以防止處理器像傳統計算機芯片一樣容易過熱，而且其運行還需要使用更少的能源，這對於必須依靠電池運行的移動設備來說是一個巨大的福音，尤其是包括電子植入物在內的醫療設備。
蒂瓦裏表示，原型設備預計將在兩到三年內上市。相關研究論文發表在15日出版的《先進電工材料》雜誌網絡版上。
