台積電、英特爾、三星之間的先進製程競爭依然激烈。 10納米以下工藝已成為半導體三大巨頭的必爭之地。雖然三星在11月中旬率先發布了10納米FinFET工藝生產的SRAM（靜態隨機存取存儲器），但似乎領先於台積電和三星。不過，台積電3日透露，已經成功量產7nm工藝的SRAM，並且已經預測5nm即將到來！
台積電3日舉辦第十五屆供應鏈管理論壇。台積電總經理兼聯席CEO劉德音表示，庫存調整已接近完成，預計2016年恢複增長。台積電明年會比今年更好。這與前任董事長張忠謀的觀點一致。劉德銀還透露了更多有關台積電先進製造工藝進展的信息。
在16nm工藝上，台積電此前推出了功耗比FinFETPlus更低的FFC工藝，主攻中低端智能手機和物聯網領域。劉德銀昨天3日指出，目前已經定型（流片）的設計有27個。預計2016年達到100，16nm進一步從高端市場主力向中低端市場拓展。劉德銀預計，16nm市場份額的擴大將成為明年營收好於去年的重要推動力。
對於三星11月中旬宣布已采用10納米FinFET生產SRAM（靜態隨機存取存儲器），劉德銀透露，台積電已成功生產采用7納米工藝的SRAM。 10納米將於2016年初試產，7納米預計2017年第一季度開始試產，這與台積電首席技術官孫元成在2017年舉辦的創新平台論壇上所說的進度相同。今年九月，美國聖克拉拉。
按照孫元成當時的說法，10納米將在2016年底或2017年初進入量產階段。如果繼續推進，台積電將有望在10納米階段超越英特爾。英特爾首席執行官布萊恩科再奇(Brian Krzanich)在今年第二季度的發布會上承認，下一代(10納米)工藝要到2017年下半年左右才會推出。三星今年6月正式將10納米FinFET工藝納入其發展路線圖。年。預計10納米將在2016年底或2017年初全麵投產，與台積電時間大致相同。
值得注意的是，劉德銀昨天在論壇上向供應鏈夥伴宣布，是時候開始準備5納米了！雖然他沒有解釋相關時間表，但這也讓外界期待。然而，10納米以下的工藝收縮已經開始。來到光學光刻分析的極限，台積電年初透露，10納米工藝的部分掩模版將采用極紫外（EUV）光刻技術進行曝光。摩根士丹利3月份發布的一份報告也指出，EUV將是台積電在10納米以下工藝反超的關鍵。
