在近日舉行的“光纖通信50年高峰論壇”上，浙江大學信息與電子工程學院副教授餘輝與浙江大學信息與電子工程學院教授、博士生導師楊建一共同撰寫的文章浙江大學信息與電子工程係被披露。文章表示，目前短距離光互連主要采用VCSEL技術。隨著傳輸距離超過1公裏、傳輸速率超過100Gb/s並逐步進入Tb/s範圍，基於單模光纖的矽光子技術具有更低的成本和功耗。並且帶寬優勢也逐漸顯現出明顯的優勢。通過波分複用，矽光子技術可以將光互連的帶寬提高到前所未有的水平。
正因為如此，全球包括學術界和企業界在內的許多機構都對矽光子互連技術進行了廣泛的研究。許多公司已經推出或正在推出相關產品。目前的研究重點已從單個矽光子器件的功能實現和性能提升轉向矽光子工藝平台（平台）的構建和高速收發模塊（收發器）的開發。
文章指出，目前采用CMOS標準工藝線在SOI襯底上製造矽基集成光電路的方法和技術已經非常成熟。除了激光器還不能以CMOS兼容的方式單片集成外，其他基於矽波導的器件，包括無源波導、波分複用器件、調製器和探測器，性能已經非常成熟。但集成光路與集成電路在襯底材料、特征尺寸、具體製造工藝等方麵存在較大差異，因此，目前光路與電路的集成往往通過混合集成的方式進行。即光學芯片和電學芯片在自己的平台上獨立設計和製造，然後通過引線鍵合或倒裝芯片鍵合進行組裝。
混合集成的優點是靈活性高、初始工藝成本低、工藝升級方便。此外，鍵合技術的進步也降低了其成本和寄生效應。然而，混合集成的缺點是光學芯片和電氣芯片之間的鍵合會導致寄生效應和昂貴的後封裝成本。同時，由於需要將光學芯片和電學芯片拆解並最終組裝後才能進行整體性能測試，因此大大增加了測試成本。光路和電路的單片集成解決方案可以解決上述問題。毫無疑問，高性能、低成本的光路和電路單片集成一直代表著矽基光子學發展的最終目標。
目前，采用矽光子技術開發光收發模塊的公司已有十幾家。相關產品主要技術指標日趨成熟。當前，更多的考慮如何降低成本，提高產品競爭力，滿足市場需求。文章介紹相關矽光子產品時，沒有提及一家中國公司，可見中國在矽光子領域遠遠落後。
中國科學院半導體研究所副所長、博士生導師朱寧華也在論壇上表示，雖然我國在光子集成領域取得了一些成果，但在光電器件製造設備的研發投入上比較分散，尚未建立矽基、InP基光電係統。擁有專業的研發平台，芯片流片加工基本在新加坡、加拿大、荷蘭、台灣、德國等地進行。
朱寧華指出，光電器件的核心技術與製備工藝密切相關。外包導致973、863核心技術大量流失。我國在高端信息光電子芯片裝備研發方麵缺乏持續、係統的投入，導致與國外的差距進一步拉大。
