剛剛在ISSCC（International Solid State Circuit Conference）國際固態電路大會上，三星此舉讓業界大吃一驚，在全球首次展示了10nm FinFET半導體工藝。當時，業內人士表示，三星有望先於英特爾打造全球首款用於移動平台的10nm工藝處理器。
事實上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導體製造方麵已經非常領先。目前，隻有三星能夠正式量產采用14nm FinFET工藝的移動設備芯片。不過，此前在技術上占據優勢的英特爾再次力推Push。盡管三星在芯片領域的業務還沒有達到高通或英特爾的水平，但三星的芯片發展速度很快，迎來了對其占主導地位的競爭對手的直接挑戰。
不過，如果你認為三星首次亮相的10nm FinFET 工藝已經足夠驚豔，那麼三星在ISSCC 會議上的主題演講可能會更令人驚訝。
三星：5nm芯片對我們來說沒問題
根據三星的聲明，該公司將繼續推進5納米工藝，因為他們相信“完全沒有困難”，並且很可能很快就會實現進一步的小型化。
這家韓國巨頭甚至表示，他們已經確認開始3.2nm FinFET工藝的工作，該工藝可以通過所謂的EUV遠紫外光刻技術和四種圖案曝光技術以及獨家相關途徑實現更精細的工藝精細化。基本上，三星的演講非常令人困惑，並沒有真正解釋使用什麼新材料來製造這些更小的納米技術芯片。英特爾曾表示，10nm之後的半導體製造將更加複雜。如果繼續發展下去，將很難突破矽原子的物理極限。三星的新材料解決方案不能排除為砷化銦镓（InGaAs）。
讓我們回到10nm工藝。三星聲稱下一代芯片將更小、功耗更低。未來，該工藝還將應用於DRAM和3D V-NAND芯片。三星不會放棄任何成為移動領域存儲領導者的機會。三星表示，要到2016年或2017年才會推出10nm工藝。換句話說，首款采用14nm芯片的智能手機Galaxy S6可能會在兩年內保持先進工藝的優勢。
當然，我們也不排除下一代旗艦智能手機Galaxy S7，三星為其意外配備了10nm工藝處理器。
