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    低esr的電容有哪些(聚合物電容缺點)

    Time:2024-01-15 04:24:56 Read:951 作者:CEO

    器件采用模製EE (7343-43) 外形編碼,具有業界最佳的電容密度和超低ESR

    賓夕法尼亞州馬爾文- 2016 年12 月5 日- 近日,Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所股票代碼:VSH)宣布推出全新係列vPolyTan 多陽極聚合物表麵貼裝片式電容器——T59。該電容器提高了容積效率,可用於計算、通信和工業應用。 T59係列采用聚合物鉭材料技術和Vishay專利的多陣列封裝(MAP),具有業界最高的電容密度,並保持一流的ESR性能。

    低esr的電容有哪些(聚合物電容缺點)

    今天發布的電容器采用模製EE (7343-43) 外形尺寸,單位體積的電容比類似器件高25%,從而實現更高的電容和電壓水平。例如,這些電容器在30V 電壓下的電容為150F,比最接近的比較器器件高三倍。此外,T59係列的封裝非常先進,使器件能夠在+25C和100kHz下保持25m至150m的超低ESR。

    器件的電容範圍為15F 至470F,電容容差為20%,可承受75V 的過壓。 T59係列電容器可用於固態硬盤、網絡設備和主板。它們可以取代多個較低電容的器件,減少元件數量,節省電路板空間並降低成本。在這些產品中,這些電容器用於去耦、平滑、濾波和儲能應用。

    在100kHz時,T59係列的紋波電流範圍為1.3A至3.1A,工作溫度範圍為-55~+105。該器件符合RoHS 和Vishay Green 標準,無鹵素,采用無鉛和錫/鉛(Sn/Pb) 卷盤端子,並采用符合EIA-481 的卷帶封裝。這些電容器經過100% 浪湧電流測試,以確保高浪湧電流應用中的穩健性。

    T59係列電容器現已提供樣品,並已實現量產。批量訂單的交貨時間為十周。

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